5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> PZTA96ST1G
PZTA96ST1G PDF预览

PZTA96ST1G

更新时间： 2024-11-14 13:12:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
8页 55K
描述
High Voltage PNP Bipolar Transistor, SOT-223 (TO-261) 4 LEAD, 1000-REEL

阅读下载

中文翻译

获取价格

PZTA96ST1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318E-04, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.85
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：450 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PZTA96ST1G 数据手册

 浏览型号PZTA96ST1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PZTA96ST1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PZTA96ST1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PZTA96ST1G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PZTA96ST1G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PZTA96ST1G的Datasheet PDF文件第7页 
PZTA96ST1  
Preferred Device  
High Voltage Transistor  
PNP Silicon  
MAXIMUM RATINGS  
http://onsemi.com  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
–450  
–450  
–5.0  
–500  
1.5  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
COLLECTOR 2,4  
Vdc  
Vdc  
BASE  
1
I
C
mAdc  
Watts  
Total Power Dissipation Up to  
P
D
T = 25°C (Note 1)  
A
EMITTER 3  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
T
–65 to +150  
150  
°C  
°C  
stg  
T
J
4
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
1
AWW  
ZTA96  
2
Thermal Resistance from Junction to  
Ambient (Note 1)  
R
83.3  
°C  
q
JA  
3
SOT–223, TO–261AA  
CASE 318E  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Note 2)  
A
= Location  
STYLE 1  
WW  
= Work Week  
Characteristic  
Symbol  
Min Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
–450  
–450  
–5.0  
–
–
–
–
Vdc  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
ORDERING INFORMATION  
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Device  
PZTA96ST1  
Package  
Shipping  
1000/Tape & Reel  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –100 mAdc, I = 0)  
V
V
C
E
SOT–223  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
E
C
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Collector–Base Cutoff Current  
(V = –400 Vdc, I = 0)  
I
–0.1 mAdc  
–0.1 mAdc  
CBO  
CB  
E
Emitter–Base Cutoff Current  
(V = –4.0 Vdc, I = 0)  
I
–
EBO  
BE  
C
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (Note 3)  
h
FE  
50  
150  
–
(I = –10 mAdc, V = –10 Vdc)  
C
CE  
Saturation Voltages  
Vdc  
(I = –20 mAdc, I = –2.0 mAdc)  
V
–
–
–0.6  
–1.0  
C
B
CE(sat)  
V
BE(sat)  
(I = –20 mAdc, I = –2.0 mAdc)  
C
B
1. Device mounted on a glass epoxy printed circuit board 1.575 in. x 1.575 in.  
2
x 0.059 in.; mounting pad for the collector lead min. 0.93 in .  
2. T = 25°C unless otherwise noted.  
A
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms; Duty Cycle = 2.0%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
June, 2002 – Rev. 1  
PZTA96ST1/D  
12345678

中文翻译

下载PDF

PZTA96ST1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CZTA96BK CENTRAL

功能相似

 Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
CZTA96 CENTRAL

功能相似

 SURFACE MOUNT PNP SILICON EXTREMELY HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
PZTA96ST1 ONSEMI

功能相似

 High Voltage Transistor

与PZTA96ST1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PZTA96T1 MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 450V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA
PZTA96T1 ONSEMI

获取价格

 		500mA, 450V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA, CASE 318E-04, 4 PIN
PZTA96T3 MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 450V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 318E-04, 4 PIN
PZTM1101 NXP

获取价格

 		NPN transistor/Schottky-diode module
PZTM1101/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 0.2 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
PZTM1101T/R NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 0.2 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
PZTM1102 NXP

获取价格

 		PNP transistor/Schottky-diode module
PZTM1102,135 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power
PZTM1102/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power
PZTM1102T/R NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power

与PZTA96ST1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证