5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 450 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-261AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PZTM1101 | NXP |
获取价格 |
NPN transistor/Schottky-diode module |
|
| PZTM1101/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| PZTM1101T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| PZTM1102 | NXP |
获取价格 |
PNP transistor/Schottky-diode module |
|
| PZTM1102,135 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power |
|
| PZTM1102/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power |
|
| PZTM1102T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power |
|
| PZU10A | NXP |
获取价格 |
Single Zener diodes |
|
| PZU10ADG | NXP |
获取价格 |
Single Zener diodes |
|
| PZU10B | NXP |
获取价格 |
Single Zener diodes in a SOD323F package |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
