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PZTM1101/T3

更新时间: 2024-02-06 08:11:36
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 36K
描述
TRANSISTOR 0.2 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

PZTM1101/T3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.75
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHzBase Number Matches:1

PZTM1101/T3 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
PZTM1101  
NPN transistor/Schottky-diode  
module  
1996 May 09  
Product specification  

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