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PZTM1102T/R

更新时间: 2024-11-14 19:47:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 41K
描述
TRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power

PZTM1102T/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.75
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.2 A配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

PZTM1102T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
PZTM1102  
PNP transistor/Schottky-diode  
module  
1996 May 09  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC01  

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