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PZTM1101T/R

更新时间: 2024-01-16 15:16:16
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 36K
描述
TRANSISTOR 0.2 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

PZTM1101T/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.75Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):300 MHzBase Number Matches:1

PZTM1101T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
PZTM1101  
NPN transistor/Schottky-diode  
module  
1996 May 09  
Product specification  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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