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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PZTM1102 | NXP |
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PNP transistor/Schottky-diode module |
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| PZTM1102,135 | NXP |
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TRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power |
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| PZTM1102/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power |
|
| PZTM1102T/R | NXP |
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TRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power |
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| PZU10A | NXP |
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Single Zener diodes |
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| PZU10ADG | NXP |
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Single Zener diodes |
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| PZU10B | NXP |
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Single Zener diodes in a SOD323F package |
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| PZU10B | NEXPERIA |
获取价格 |
Zener diodes in a SOD323F packageProduction |
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| PZU10B,115 | NXP |
获取价格 |
PZUxB series - Single Zener diodes in a SOD323F package SOD 2-Pin |
|
| PZU10B,135 | NXP |
获取价格 |
10V, 0.31W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SC-90, 2 PIN |
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