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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.73 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PZTM1101/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| PZTM1101T/R | NXP |
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TRANSISTOR 0.2 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| PZTM1102 | NXP |
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PNP transistor/Schottky-diode module |
|
| PZTM1102,135 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power |
|
| PZTM1102/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power |
|
| PZTM1102T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power |
|
| PZU10A | NXP |
获取价格 |
Single Zener diodes |
|
| PZU10ADG | NXP |
获取价格 |
Single Zener diodes |
|
| PZU10B | NXP |
获取价格 |
Single Zener diodes in a SOD323F package |
|
| PZU10B | NEXPERIA |
获取价格 |
Zener diodes in a SOD323F packageProduction |
|
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