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PZTA96T1

更新时间： 2024-02-02 00:43:53
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 59K
描述
500mA, 450V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA, CASE 318E-04, 4 PIN

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PZTA96T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.91最大集电极电流 (IC)：0.5 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：50
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

PZTA96T1 数据手册

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by PZTA96T1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR 2,4  
Motorola Preferred Device  
BASE  
1
SOT–223 PACKAGE  
PNP SILICON  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
SURFACE MOUNT  
EMITTER 3  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
–450  
Unit  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
Watts  
°C  
4
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
–450  
–5.0  
1
2
3
I
C
–500  
(1)  
Total Power Dissipation up to T = 25°C  
P
D
1.5  
A
CASE 318E–04, STYLE 1  
TO–261AA  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
DEVICE MARKING  
ZTA96  
T
stg  
–65 to +150  
150  
T
J
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Thermal Resistance from Junction to Ambient  
R
83.3  
°C  
θJA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
V
–450  
–450  
–5.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –100 µAdc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 µAdc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector–Base Cutoff Current  
(V = –400 Vdc, I = 0)  
I
–0.1  
–0.1  
µAdc  
µAdc  
CBO  
CB  
Emitter–Base Cutoff Current  
(V = –4.0 Vdc, I = 0)  
E
I
—
EBO  
BE  
C
ON CHARACTERISTICS  
(2)  
DC Current Gain  
h
FE  
50  
150  
—
(I = –10 mAdc, V  
C
= –10 Vdc)  
CE  
Saturation Voltages  
Vdc  
(I = –20 mAdc, I = –2.0 mAdc)  
V
—
—
–0.6  
–1.0  
C
B
CE(sat)  
V
BE(sat)  
(I = –20 mAdc, I = –2.0 mAdc)  
C
B
2
1. Device mounted on a glass epoxy printed circuit board 1.575 in. x 1.575 in. x 0.059 in.; mounting pad for the collector lead min. 0.93 in .  
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs; Duty Cycle = 2.0%.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1997  
1234

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与PZTA96T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PZTA96T3 MOTOROLA

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 		500mA, 450V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 318E-04, 4 PIN
PZTM1101 NXP

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PZTM1101/T3 NXP

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 		TRANSISTOR 0.2 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
PZTM1101T/R NXP

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