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CZTA96

更新时间： 2024-10-01 22:40:23
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CENTRAL 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
SURFACE MOUNT PNP SILICON EXTREMELY HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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CZTA96 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.3外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：450 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz

CZTA96 数据手册

 浏览型号CZTA96的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CZTA96  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
PNP SILICON  
EXTREMELY HIGH VOLTAGE  
TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZTA96 type  
is a surface mount epoxy molded PNP silicon  
planar epitaxial transistors designed for  
extremely high voltage applications.  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
450  
450  
6.0  
500  
2.0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
V
mA  
W
I
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
62.5  
°C  
°C/W  
J
Thermal Resistance  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
CBO  
EBO  
TEST CONDITIONS  
CB  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
V
V
=400V  
=4.0V  
100  
nA  
100  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
BE  
B
B
B
V
V
V
V
h
h
h
h
I =100µA  
450  
450  
6.0  
500  
490  
9.7  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
I =1.0mA  
C
I =10µA  
E
I =1.0mA, I =0.1mA  
0.20  
0.30  
0.50  
1.0  
C
C
B
B
B
B
I =10mA, I =1.0mA  
I =50mA, I =5.0mA  
0.15  
C
I =10mA, I =1.0mA  
C
V
=10V, I =1.0mA  
40  
50  
45  
25  
20  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
C
V
V
V
V
V
V
=10V, I =10mA  
120  
35  
200  
FE  
FE  
FE  
C
C
=10V, I =50mA  
=10V, I =100mA  
C
f
=10V, I =10mA, f=10MHz  
MHz  
pF  
pF  
T
C
C
C
=20V, I =0, f=1.0MHz  
7.0  
130  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
C
R1 ( 14-June 2001)  
12

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CZTA96 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CZTA96BK CENTRAL

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 Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy
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