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PZTA96S/D

更新时间： 2024-01-06 17:55:49
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 55K
描述
High Voltage Transistor

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PZTA96S/D 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.9最大集电极电流 (IC)：0.5 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：50
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

PZTA96S/D 数据手册

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PZTA96ST1  
Preferred Device  
High Voltage Transistor  
PNP Silicon  
MAXIMUM RATINGS  
http://onsemi.com  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
–450  
–450  
–5.0  
–500  
1.5  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
COLLECTOR 2,4  
Vdc  
Vdc  
BASE  
1
I
C
mAdc  
Watts  
Total Power Dissipation Up to  
P
D
T = 25°C (Note 1)  
A
EMITTER 3  
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
T
–65 to +150  
150  
°C  
°C  
stg  
T
J
4
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
1
AWW  
ZTA96  
2
Thermal Resistance from Junction to  
Ambient (Note 1)  
R
83.3  
°C  
q
JA  
3
SOT–223, TO–261AA  
CASE 318E  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Note 2)  
A
= Location  
STYLE 1  
WW  
= Work Week  
Characteristic  
Symbol  
Min Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
–450  
–450  
–5.0  
–
–
–
–
Vdc  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
ORDERING INFORMATION  
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Device  
PZTA96ST1  
Package  
Shipping  
1000/Tape & Reel  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –100 mAdc, I = 0)  
V
V
C
E
SOT–223  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 mAdc, I = 0)  
E
C
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Collector–Base Cutoff Current  
(V = –400 Vdc, I = 0)  
I
–0.1 mAdc  
–0.1 mAdc  
CBO  
CB  
E
Emitter–Base Cutoff Current  
(V = –4.0 Vdc, I = 0)  
I
–
EBO  
BE  
C
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (Note 3)  
h
FE  
50  
150  
–
(I = –10 mAdc, V = –10 Vdc)  
C
CE  
Saturation Voltages  
Vdc  
(I = –20 mAdc, I = –2.0 mAdc)  
V
–
–
–0.6  
–1.0  
C
B
CE(sat)  
V
BE(sat)  
(I = –20 mAdc, I = –2.0 mAdc)  
C
B
1. Device mounted on a glass epoxy printed circuit board 1.575 in. x 1.575 in.  
2
x 0.059 in.; mounting pad for the collector lead min. 0.93 in .  
2. T = 25°C unless otherwise noted.  
A
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms; Duty Cycle = 2.0%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
June, 2002 – Rev. 1  
PZTA96ST1/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PZTA96ST1 ONSEMI

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 		High Voltage Transistor
PZTA96ST1G ONSEMI

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PZTA96T1 MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 450V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA
PZTA96T1 ONSEMI

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 		500mA, 450V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA, CASE 318E-04, 4 PIN
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 		500mA, 450V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 318E-04, 4 PIN
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 		NPN transistor/Schottky-diode module
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 		TRANSISTOR 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power

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