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PTVA043502ECV1R2

更新时间： 2024-11-30 19:11:23
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 155K
描述
RF Power Field-Effect Transistor,

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PTVA043502ECV1R2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.57峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

PTVA043502ECV1R2 数据手册

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PTVA043502EC  
PTVA043502FC  
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs  
350 W, 50 V, 470 – 860 MHz  
Description  
The PTVA043502EC and PTVA043502FC are LDMOS FETs  
PTVA043502EC  
Package H-36248-4  
designed for use in power amplifier applications in the 470 to 860 MHz  
frequency band. Features include high gain and thermally-enhanced  
package with bolt-down and earless flanges. Manufactured with  
Infineon's advanced LDMOS process, these devices provide excellent  
thermal performance and superior reliability.  
PTVA043502FC  
Package H-37248-4  
DVB-T Performance  
Efficiency Vs Frequency  
POUT = 48.5 dBm, VDD = 50 V, IDQ = 850 mA  
Features  
•
•
•
•
•
Input matched  
Integrated ESD protection  
Low thermal resistance  
High gain  
0
-5  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
Efficiency  
-10  
-15  
-20  
-25  
-30  
-35  
-40  
Capable of handling 10:1 VSWR @50 V, 70 W  
average power (DVB-T 8K OFDM, 64QAM)  
Integrated ESD protection  
•
•
Low thermal resistance  
Pb-free and RoHS compliant  
ACPR  
a043502efc_gcover  
0
400  
500  
600  
700  
800  
900  
Frequency (MHz)  
RF Characteristics  
DVB-T (8K OFMD, 64QAM) Characteristics (tested in Infineon test fixture, narrowband 858 MHz)  
= 50 V, I = 850 mA, P = 70 W avg, ƒ = 858 MHz, input PAR = 3 dB (unclipped), output PAR = 7 dB @ 0.01% CCDF  
V
DD  
DQ  
OUT  
probability  
Characteristic  
Gain  
Symbol  
Min  
17  
Typ  
18  
Max  
—
Unit  
dB  
G
ps  
Drain Efficiency  
26  
29.5  
–29.5  
—
%
D
Adjacent Channel Power Ratio  
ACPR  
—
–26  
dBc  
(ACPR integrated over 200 KHz BW at + 4.3 MHz offset from center frequency)  
All published data at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet 1 of 10  
Rev. 02.1, 2016-05-03  
1234567...10

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与PTVA043502ECV1R2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTVA043502ECV1R2XTMA1 INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
PTVA043502ECV2R0XTMA1 INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor,
PTVA043502FC CREE

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 350 W, 50 V, 470 - 860 MHz
PTVA043502FC INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 3
PTVA043502FCV1R0 INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor,
PTVA043502FCV1R0XTMA1 INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor,
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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 70
PTVA047002EV INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

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