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PTVA043502ECV1R2XTMA1

更新时间： 2024-11-30 21:10:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	375K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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PTVA043502ECV1R2XTMA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	外壳连接：	SOURCE
配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	105 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	2
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	225 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PTVA043502ECV1R2XTMA1 数据手册

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PTVA043502EC

PTVA043502FC

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

350 W, 50 V, 470 – 860 MHz

Description

The PTVA043502EC and PTVA043502FC are LDMOS FETs

PTVA043502EC

Package H-36248-4

designed for use in power amplifier applications in the 470 to 860 MHz

frequency band. Features include high gain and thermally-enhanced

package with bolt-down and earless flanges. Manufactured with

Infineon's advanced LDMOS process, these devices provide excellent

thermal performance and superior reliability.

PTVA043502FC

Package H-37248-4

DVB-T Performance

Efficiency Vs Frequency

P_OUT= 48.5 dBm, V_DD= 50 V, I_DQ= 850 mA

Features

•ꢀ Input matched

•ꢀ Integrated ESD protection

•ꢀ Low thermal resistance

•ꢀ High gain

-5

Efficiency

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

•ꢀ Capable of handling 10:1 VSWR @50 V, 70 W

average power (DVB-T 8K OFDM, 64QAM)

Integrated ESD protection

•ꢀ Low thermal resistance

•ꢀ Pb-free and RoHS compliant

ACPR

a043502efc_gcover

400

500

600

700

800

900

Frequency (MHz)

RF Characteristics

DVB-T (8K OFMD, 64QAM) Characteristics (tested in Infineon test fixture, narrowband 858 MHz)

= 50 V, I = 850 mA, P = 70 W avg, ƒ = 858 MHz, input PAR = 3 dB (unclipped), output PAR = 7 dB @ 0.01% CCDF

OUT

probability

Characteristic

Gain

Symbol

Min

Typ

Max

—

Unit

Drain Efﬁciency

29.5

–29.5

—

Adjacent Channel Power Ratio

ACPR

—

–26

dBc

(ACPR integrated over 200 KHz BW at + 4.3 MHz offset from center frequency)

All published data at T

= 25°C unless otherwise indicated

CASE

ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!

Data Sheet 1 of 11

Rev. 02.2, 2017-02-09

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PTVA043502ECV2R0XTMA1	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor,
PTVA043502FC	CREE	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 350 W, 50 V, 470 - 860 MHz
PTVA043502FC	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 3
PTVA043502FCV1R0	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor,
PTVA043502FCV1R0XTMA1	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor,
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PTVA043502FCV1R2XTMA1	INFINEON	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor,
PTVA047002EV	CREE	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 70
PTVA047002EV	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET
PTVA047002EV_15	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

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