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ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. (晶豪) 更新时间：2022-06-24 15:41:13

晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

M13D64322A-5BG2S	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	Low Power DDR SDRAM

F59L2G81KA-25BCG2N	ESMT	获取价格			2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

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M16U4G16256A-QLBG	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	32M x 16 Bit x 8 Banks DDR4 SDRAM

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F59D2G81LA-45BG	ESMT	获取价格			2 Gbit (256M x 8 / 128M x 16) 1.8V NAND Flash Memory

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M54D1G1664A-2.5BKG	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管	8M x 16 Bit x 8 Banks LPDDR2 SDRAM

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F59L2G81KA-25TG2N	ESMT	获取价格			2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

F59L4G81XB-25TG2X	ESMT	获取价格			4 Gbit (512M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

M52D5121632A-5BG	ESMT	获取价格		动态存储器	8M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM

M53D5123216A	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	4M x 32Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM

M13D64322A-4.5BG2S	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	Low Power DDR SDRAM

F59D4G81KA-45BG2R	ESMT	获取价格			4 Gbit (512M x 8) 1.8V NAND Flash Memory

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M16U4G16256A-HHBG	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	32M x 16 Bit x 8 Banks DDR4 SDRAM

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F59L4G81XB	ESMT	获取价格			4 Gbit (512M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

F59D2G81KA-45BCG2N	ESMT	获取价格			2 Gbit (256M x 8) 1.8V NAND Flash Memory

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M54D1G1664A-3BKG	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管	8M x 16 Bit x 8 Banks LPDDR2 SDRAM

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