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ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. (晶豪) 更新时间：2021-12-03 14:17:00

晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

M13S2561616A-6BG2A	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, B

M53D256328A-7.5BG2F	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

M53D256328A-6BG2F	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE

M53D256328A-5BG2F	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 8MX32, 5ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

F25L04UA-75CG	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 512KX8, PDSO8, 0.150 INCH, LEAD FREE, SOIC-8

M53D128168A-7.5BG2E	ESMT	获取价格		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, B

M53D128168A-6BG2E	ESMT	获取价格		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

M53D128168A-5BG2E	ESMT	获取价格		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, B

F25L004A-50PA	ESMT	获取价格		光电二极管内存集成电路	Flash, 512KX8, PDSO8,

AD5165A	ESMT	获取价格		放大器商用集成电路	Audio Amplifier, 2.5W, 1 Channel(s), 1 Func, 3 X 3 M, LEAD FREE, DFN-8

F25L04PA-86HG	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 4MX1, PDSO8, 6 X 5 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WSON-8

F25L04PA-86DG	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 4MX1, PDIP8, 0.300 INCH, 2.54 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8

F25L04PA-100PG	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 4MX1, PDSO8, 0.150 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-8

F25L04PA-100PAG	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 4MX1, PDSO8, 0.208 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-8

F25L04PA-100HG	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 4MX1, PDSO8, 6 X 5 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WSON-8

F25L04PA-100DG	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 4MX1, PDIP8, 0.300 INCH, 2.54 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8

F25L004A-75PA	ESMT	获取价格			Flash Memory,

M32L1632512A-8SQ	ESMT	获取价格		时钟动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100,

M32L1632512A-8Q	ESMT	获取价格		时钟动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100,

M32L1632512A-7Q	ESMT	获取价格		时钟动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 512KX32, 6ns, CMOS, PQFP100,

M21L11664A-10J	ESMT	获取价格		静态存储器光电二极管内存集成电路	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, SOJ-44

M21L11664A-8J	ESMT	获取价格		静态存储器光电二极管内存集成电路	Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, SOJ-44

M21L11664A-10T	ESMT	获取价格		静态存储器光电二极管内存集成电路	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

M12L2561616A-6BIG2S	ESMT	获取价格		动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS

M12L2561616A-6TIG2S	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COM

M24L16161ZA-70BEG	ESMT	获取价格		内存集成电路	Pseudo Static RAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, BGA-48

M11L416256A-25J	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 256KX16, 25ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40

AD82571A-LEG	ESMT	获取价格		放大器商用集成电路	Audio Amplifier,

EN25P05-50VI	ESMT	获取价格			Flash Memory,

EN25P05-50GCP	ESMT	获取价格			Flash Memory,