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ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. (晶豪) 更新时间：2021-03-23 15:11:26

晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

M12L64164A-6TG2M	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE

M12L64164A-6BG2M	ESMT	获取价格		动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F

M52S128168A-10BIG	ESMT	获取价格		动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54

M52S128168A-7TIG	ESMT	获取价格			暂无描述

M52S128168A-10TIG	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54

M13S64164A-4TG2Y	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-

M13S64164A-6TG2Y	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-

M13S64164A-5BG2Y	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

M13S64164A-4BG2Y	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

M24L16161A-85BI	ESMT	获取价格		动态存储器	DRAM,

M13S128168A-5TIG2N	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE

M13S128168A-4TIG2N	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE

M13S5121632A-5TG2A	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2

M13S5121632A-4TG2A	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2

M13S2561616A-6TIG2A	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2

M13S2561616A-6BIG2A	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, B

M13S2561616A-5TIG2A	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2

M13S2561616A-5BIG2A	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, B

M12L128324A-6BIG2E	ESMT	获取价格		动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90

F25L16PA-86PAG2S	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 16MX1, PDSO8, 0.208 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-8

F25L16PA-86HG2S	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 16MX1, PDSO8, 6 X 5 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WSON-8

F25L16PA-50PHG2S	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 16MX1, PDSO16, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-16

F25L16PA-50PG2S	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 16MX1, PDSO8, 0.150 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-8

F25L16PA-50PAG2S	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 16MX1, PDSO8, 0.208 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-8

F25L16PA-86PHG2S	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 16MX1, PDSO16, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-16

F25L16PA-86PG2S	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 16MX1, PDSO8, 0.150 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-8

F25L16PA-86DG2S	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 16MX1, PDIP8, 0.300 INCH, 2.54 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8

F25L16PA-50HG2S	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 16MX1, PDSO8, 6 X 5 MM, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WSON-8

F25L16PA-50DG2S	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 16MX1, PDIP8, 0.300 INCH, 2.54 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8

F25L16PA-100PHG2S	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 16MX1, PDSO16, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-16