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M13S128168A-5TIG2N

更新时间： 2024-01-18 14:57:37

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
49页	1177K
描述
Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66

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M13S128168A-5TIG2N 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	TSOP2,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
长度：	22.22 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

M13S128168A-5TIG2N 数据手册

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ESMT

M13S128168A (2N)

Operation Temperature Condition -40°C~85°C

DDR SDRAM

2M x 16 Bit x 4 Banks

Double Data Rate SDRAM

Features

Double-data-rate architecture, two data transfers per clock cycle

Bi-directional data strobe (DQS)

Differential clock inputs (CLK and CLK )

DLL aligns DQ and DQS transition with CLK transition

Four bank operation

CAS Latency : 2.5, 3, 4

Burst Type : Sequential and Interleave

Burst Length : 2, 4, 8

All inputs except data & DM are sampled at the rising edge of the system clock (CLK)

Data I/O transitions on both edges of data strobe (DQS)

DQS is edge-aligned with data for READs; center-aligned with data for WRITEs

Data mask (DM) for write masking only

V_DD= 2.5V ± 0.2V, V_DDQ= 2.5V ± 0.2V

15.6us refresh interval

Auto & Self refresh

2.5V I/O (SSTL_2 compatible)

Ordering Information

Product ID

Max Freq.

Package

Comments

M13S128168A -4TIG2N

M13S128168A -5TIG2N

M13S128168A -6TIG2N

M13S128168A -4BIG2N

M13S128168A -5BIG2N

M13S128168A -6BIG2N

250MHz (DDR500)

200MHz (DDR400)

166MHz (DDR333)

250MHz (DDR500)

200MHz (DDR400)

166MHz (DDR333)

66 pin TSOPII

Pb-free

60 Ball BGA

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Mar. 2013

Revision : 1.1 1/49

12 3 4 5 6 7...49

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M13S128168A-5TVG2N	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE
M13S128168A-6BG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-6BG2N	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,
M13S128168A-6BIG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-6BIG2N	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE
M13S128168A-6BVG2N	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE
M13S128168A-6T	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-6TG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-6TG2N	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-
M13S128168A-6TIG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM

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