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ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. (晶豪) 更新时间：2021-12-02 06:08:00

晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

EN29LV160AT-70UIP	ESMT	获取价格		光电二极管内存集成电路闪存	Flash, 1MX16, 70ns, PDSO44, SOP-44

EN25F40A-104XIP	ESMT	获取价格			Flash Memory,

M13S128324A-5BIG2M	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE

M13S128168A-6TVAG2N	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE

M13S128168A-6BVG2N	ESMT	获取价格		动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE

M12L32162A-5TG	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 2MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54

M12L2561616A-7TIG2K	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE

M11L416256SA-40T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40

M11L416256SA-40J	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40

M11L16161SA-45J	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, SOJ-42

M11L16161A-60T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44

M11L16161A-60J	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, SOJ-42

M11L16161A-45T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44

M12L2561616A-6TIG2K	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE

M52D16161A-10TG2J	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 1MX16, 9ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

M13S2561616A-6TIG2S	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2

M13S2561616A-5BIG2S	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, B

M52S128168A-7.5BIG	ESMT	获取价格		存储内存集成电路动态存储器	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54

M52S128168A-7BIG	ESMT	获取价格		动态存储器	暂无描述

M12L64322A-7BG2S	ESMT	获取价格		存储内存集成电路动态存储器	暂无描述

M12L128168A-7TG2S	ESMT	获取价格			DRAM,

M12L64322A-5TG2S	ESMT	获取价格			Synchronous DRAM, 2MX32, CMOS, PDSO86, TSOPII-86

M12L64164A-7TG2M	ESMT	获取价格		存储内存集成电路光电二极管动态存储器	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

M12L128168A-5TG2N	ESMT	获取价格		存储内存集成电路光电二极管动态存储器	暂无描述

M12L64322A-7TG2S	ESMT	获取价格			Synchronous DRAM, 2MX32, CMOS, PDSO86, TSOPII-86

M12L128168A-6BG2S	ESMT	获取价格		存储内存集成电路动态存储器	暂无描述

M12L128168A-5TG2S	ESMT	获取价格		存储内存集成电路光电二极管动态存储器	暂无描述

M12L2561616A-6BG2A	ESMT	获取价格			Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS

M12L128168A-7TG2N	ESMT	获取价格			Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE

F49L400UA-90TG	ESMT	获取价格		闪存存储内存集成电路光电二极管	Flash, 256KX16, 90ns, PDSO48