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M12L64322A-7TG2S

更新时间： 2024-01-15 00:03:20
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT /
页数 文件大小 规格书
46页 811K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, CMOS, PDSO86, TSOPII-86

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M12L64322A-7TG2S 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：TSOP2,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：6 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-G86
长度：22.22 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：32
功能数量：1端口数量：1
端子数量：86字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX32封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

M12L64322A-7TG2S 数据手册

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ESMT  
M12L64322A (2U)  
512K x 32 Bit x 4 Banks  
Synchronous DRAM  
SDRAM  
FEATURES  
ORDERING INFORMATION  
y
y
y
y
JEDEC standard 3.3V power supply  
LVTTL compatible with multiplexed address  
Four banks operation  
MRS cycle with address key programs  
- CAS Latency ( 2 & 3 )  
- Burst Length ( 1, 2, 4, 8 & full page )  
- Burst Type ( Sequential & Interleave )  
All inputs are sampled at the positive going edge of the  
system clock  
Product ID  
Max Freq. Package  
200MHz 86 TSOPII  
166MHz 86 TSOPII  
143MHz 86 TSOPII  
Comments  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
M12L64322A-5TG2U  
M12L64322A-6TG2U  
M12L64322A-7TG2U  
M12L64322A-5BG2U  
M12L64322A-6BG2U  
M12L64322A-7BG2U  
y
200MHz  
166MHz  
143MHz  
90 BGA  
90 BGA  
90 BGA  
y
y
y
DQM for masking  
Auto & self refresh  
15.6μs refresh interval  
GENERAL DESCRIPTION  
The M12L64322A is 67,108,864 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 524,288 words by 32 bits.  
Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle.  
Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a  
variety of high bandwidth, high performance memory system applications.  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
(TSOPII 86L, 400milX875mil Body, 0.5mm Pin Pitch)  
V
DD  
1
2
3
4
5
6
7
8
86  
85  
84  
83  
82  
81  
80  
79  
78  
77  
76  
75  
74  
73  
72  
71  
70  
69  
68  
67  
V
S S  
DQ0  
DQ15  
V
DDQ  
DQ1  
DQ2  
V
S S Q  
DQ14  
DQ13  
V
SS Q  
DQ3  
DQ4  
V
DD Q  
DQ12  
DQ11  
9
V
DDQ  
DQ5  
DQ6  
V
S S Q  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
DQ10  
DQ9  
V
SS Q  
DQ7  
NC  
VDD Q  
DQ8  
NC  
V
DD  
V
S S  
DQM0  
WE  
DQM1  
NC  
CAS  
RAS  
CS  
NC  
CLK  
CKE  
A9  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
NC  
A8  
BA0  
BA1  
A10/AP  
A0  
A7  
A6  
A5  
A4  
A1  
A3  
A2  
DQM3  
DQM2  
V
S S  
V
DD  
NC  
NC  
DQ16  
DQ31  
V
DDQ  
V
SS Q  
DQ17  
DQ18  
DQ30  
DQ29  
V
SS Q  
V
DDQ  
DQ28  
DQ27  
DQ19  
DQ20  
V
DDQ  
V
SS Q  
DQ26  
DQ25  
DQ21  
DQ22  
V
SS Q  
V
DDQ  
DQ23  
DQ24  
V
SS  
V
DD  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: Apr. 2010  
Revision: 1.0 1/46  
1234567...46

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与M12L64322A-7TG2S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M12L64322A-7TG2U ESMT

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 		512K x 32 Bit x 4 Banks
M12L64322A-7TIG2U ESMT

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 		DRAM,
M12P WINCHESTER

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 		COMPOSITE OUTLINE ASSY
M12S WINCHESTER

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 		COMPOSITE OUTLINE ASSY
M12S-04BFFB-SL7002 AMPHENOL

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 		Circular Connector
M12S-04BMMB-SL7002 AMPHENOL

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 		Circular Connector,
M12S04K921E JAE

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 		Wire Terminal
M12S04K922E JAE

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 		Wire Terminal
M12S04K954 JAE

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M12S-04PFFS-SF8B15 AMPHENOL

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 		Circular Connector

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