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ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. (晶豪) 更新时间：2022-09-28 11:40:07

晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

F25L01PA-86PG2D	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 1MX1, PDSO8, 0.150 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-8

F25L01PA-50SG2D	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 1MX1, PDSO8, 4.40 MM, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8

F25L01PA-50PG2D	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 1MX1, PDSO8, 0.150 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-8

EN29LV160AB-90UIP	ESMT	获取价格		光电二极管内存集成电路闪存	Flash, 1MX16, 90ns, PDSO44, SOP-44

EN29LV160AB-90UCP	ESMT	获取价格		光电二极管内存集成电路闪存	Flash, 1MX16, 90ns, PDSO44, SOP-44

EN29LV160AB-70UIP	ESMT	获取价格		光电二极管内存集成电路闪存	Flash, 1MX16, 70ns, PDSO44, SOP-44

EN29LV160AB-70UCP	ESMT	获取价格		光电二极管内存集成电路闪存	Flash, 1MX16, 70ns, PDSO44, SOP-44

M52S16161A-7.5TG2J	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

M52D128168A-6BIG2E	ESMT	获取价格		动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA54, FBGA-54

M15T2G16128A-BDBG2B	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA96, 8 X 13 MM, LEAD FREE, BGA-96

M13S2561616A-6TIG2K	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2

M13S128168A-5TG2N	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路	DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-

M13S128168A-5BG2N	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

M13S128168A-4TG2N	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路	DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-

M12S16161A-7TG2Q	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

M12L64322A-6BIG2U	ESMT	获取价格		动态存储器	DRAM,

M12L64322A-5TIG2U	ESMT	获取价格		动态存储器	DRAM,

M12L64164A-7TIG2Y	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

M12L64164A-7BIG2M	ESMT	获取价格		动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE

M12L64164A-6TIG2M	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE

M12L64164A-6BIG2Y	ESMT	获取价格		动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F

M12L64164A-5TIG2M	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE

M12L128168A-6TVG2N	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE

M12L128168A-6TIG2N	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE

M12L128168A-5BIG2N	ESMT	获取价格		动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE

M12L128168A-5BIG2L	ESMT	获取价格		动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 8MX16, 4.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F

F25L32QA-86PAG2S	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 32MX1, PDSO8, 0.208 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-8

F25L01PA-100SG2D	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 1MX1, PDSO8, 4.40 MM, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8

F25L01PA-100SG	ESMT	获取价格		时钟光电二极管内存集成电路	Flash, 1MX1, PDSO8, 0.173 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8

EN29LV160AT-90UIP	ESMT	获取价格		光电二极管内存集成电路闪存	Flash, 1MX16, 90ns, PDSO44, SOP-44