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M12L128168A-5BIG2N

更新时间： 2024-09-24 14:52:47

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
45页	684K
描述
Synchronous DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54

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M12L128168A-5BIG2N 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	VFBGA,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	长度：	8 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

M12L128168A-5BIG2N 数据手册

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ESMT

M12L128168A (2N)

Operation Temperature Condition -40°C~85°C

SDRAM

2M x 16 Bit x 4 Banks

Synchronous DRAM

FEATURES

ORDERING INFORMATION

Max

JEDEC standard 3.3V power supply

LVTTL compatible with multiplexed address

Four banks operation

MRS cycle with address key programs

- CAS Latency ( 2 & 3 )

- Burst Length ( 1, 2, 4, 8 & full page )

- Burst Type ( Sequential & Interleave )

All inputs are sampled at the positive going edge of the

system clock

Burst Read single write operation

DQM for masking

Product ID

Package

Comments

Freq.

200MHz 54 Pin TSOPII Pb-free

200MHz 54 Ball FBGA Pb-free

166MHz 54 Pin TSOPII Pb-free

166MHz 54 Ball FBGA Pb-free

143MHz 54 Pin TSOPII Pb-free

143MHz 54 Ball FBGA Pb-free

M12L128168A-5TIG2N

M12L128168A-5BIG2N

M12L128168A-6TIG2N

M12L128168A-6BIG2N

M12L128168A-7TIG2N

M12L128168A-7BIG2N

Auto & self refresh

64ms refresh period (4K cycle)

GENERAL DESCRIPTION

The M12L128168A is 134,217,728 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 2,097,152 words by 16 bits.

Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle.

Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a

variety of high bandwidth, high performance memory system applications.

PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)

BALL CONFIGURATION (TOP VIEW)

(TSOPII 54L, 400milX875mil Body, 0.8mm Pin Pitch)

(BGA 54, 8mmX8mmX1mm Body, 0.8mm Ball Pitch)

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date: May 2012

Revision: 1.1

1/45

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M12L128168A-5TG2S	ESMT	获取价格	暂无描述
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