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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | VFBGA, |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.62 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.7 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 16MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 座面最大高度： | 1 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M13S2561616A-6BIG2K | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE |
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| M13S2561616A-6BIG2S | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, B |
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| M13S2561616A-6TG | ESMT |
获取价格 |
4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
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| M13S2561616A-6TG2A | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2 |
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| M13S2561616A-6TG2K | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2 |
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| M13S2561616A-6TIG | ESMT |
获取价格 |
4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
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| M13S2561616A-6TIG2A | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2 |
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| M13S2561616A-6TIG2K | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2 |
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| M13S2561616A-6TIG2S | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2 |
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| M13S256328A | ESMT |
获取价格 |
2M x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
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