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M13S5121632A-5TG2A

更新时间： 2024-02-11 00:27:19

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
47页	969K
描述
DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66

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M13S5121632A-5TG2A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	TSOP2,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
长度：	22.22 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

M13S5121632A-5TG2A 数据手册

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ESMT

DDR SDRAM

M13S5121632A (2A)

8M x 16 Bit x 4 Banks

Double Data Rate SDRAM

Features

JEDEC Standard

Internal pipelined double-data-rate architecture, two data access per clock cycle

Bi-directional data strobe (DQS)

On-chip DLL

Differential clock inputs (CLK and CLK )

DLL aligns DQ and DQS transition with CLK transition

Quad bank operation

CAS Latency : 2; 2.5; 3

Burst Type : Sequential and Interleave

Burst Length : 2, 4, 8

All inputs except data & DM are sampled at the rising edge of the system clock(CLK)

Data I/O transitions on both edges of data strobe (DQS)

DQS is edge-aligned with data for reads; center-aligned with data for WRITE

Data mask (DM) for write masking only

V_DD, V_DDQ= 2.3V ~ 2.7V

Auto & Self refresh

7.8us refresh interval (64ms refresh period, 8K cycle)

SSTL-2 I/O interface

66pin TSOPII package

Ordering information:

PRODUCT ID

MAX FREQ

250MHz

VDD

PACKAGE

COMMENTS

M13S5121632A -4TG2A

M13S5121632A -5TG2A

2.5V

TSOPII

Pb-free

200MHz

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : May 2012

Revision : 1.1 1/47

12 3 4 5 6 7...47

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M13S5121632A-5TG2R	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2
M13S5121632A-5TG2S	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2
M13S5121632A-5TIG2S	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2
M13S5121632A-6TG2R	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2
M13S5121632A-6TG2S	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2
M13S64164A	ESMT	获取价格	1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A_09	ESMT	获取价格	1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A_1	ESMT	获取价格	1M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S64164A-4BG2Y	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,
M13S64164A-4BVAG2Y	ESMT	获取价格	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

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