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ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. (晶豪) 更新时间：2022-06-24 15:43:23

晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

M52D5123216A-7BG	ESMT	获取价格		时钟动态存储器内存集成电路	4M x 32 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM

F50L2G41LB-104YG2M	ESMT	获取价格			3.3V 2 Gbit (2 x 1 Gbit) SPI-NAND Flash Memory

F59L2G81LA-25TG	ESMT	获取价格			2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

F50L1G41LB-104YG2M	ESMT	获取价格			3.3V 1 Gbit SPI-NAND Flash Memory

F50L1G41LB-104YG2ME	ESMT	获取价格			3.3V 1 Gbit SPI-NAND Flash Memory

M53D64164A-5BG2C	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	1M x16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM

F59L2G81XA-25BG2B	ESMT	获取价格			2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

F59L2G81XA	ESMT	获取价格			2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

F59L8G81XSB	ESMT	获取价格			8 Gbit (1Gb x 8) 3.3V NAND Flash Memory

M52D5123216A	ESMT	获取价格		动态存储器	4M x 32 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM

M52D5123216A-6BG	ESMT	获取价格		动态存储器	4M x 32 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM

M53D64164A-4.5BG2C	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	1M x16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM

F59L2G81LA-25BG	ESMT	获取价格			2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

M53D64164A	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	1M x16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM

F59L2G81LA	ESMT	获取价格			2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

F59L8G81XSB-25BG2X	ESMT	获取价格			8 Gbit (1Gb x 8) 3.3V NAND Flash Memory

F50L4G41XB-133RAG2X	ESMT	获取价格			3.3V 4 Gbit SPI-NAND Flash Memory

F59L8G81XSB-25TG2X	ESMT	获取价格			8 Gbit (1Gb x 8) 3.3V NAND Flash Memory

F50L2G41LB-104YG2ME	ESMT	获取价格			3.3V 2 Gbit (2 x 1 Gbit) SPI-NAND Flash Memory

F50L1G41LB	ESMT	获取价格			3.3V 1 Gbit SPI-NAND Flash Memory

F59L2G81XA-25TG2B	ESMT	获取价格			2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

F50L4G41XB	ESMT	获取价格			3.3V 4 Gbit SPI-NAND Flash Memory

M53D1G3232A-6BG	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	8M x 32Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM

M53D5123216A-6BG	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	4M x 32Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM

F59D2G81LA-45TG	ESMT	获取价格			2 Gbit (256M x 8 / 128M x 16) 1.8V NAND Flash Memory

M53D1G1664A-7.5BG	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	16M x16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM

F59L2G81KA	ESMT	获取价格			2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

F59L4G81XB-25BCG2X	ESMT	获取价格			4 Gbit (512M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

F59L4G81XB-25BG2X	ESMT	获取价格			4 Gbit (512M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

M53D5123216A-5BG	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	4M x 32Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM