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ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. (晶豪) 更新时间：2023-05-15 00:00:00

晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

F25L004A-100P	ESMT	获取价格		光电二极管	Flash, 512KX8, PDSO8,

M11L16161SA-45T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44

M12L128168A-7BVAG2N	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F

EN25P05-50VCP	ESMT	获取价格			Flash Memory,

M11L416256A-25T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 256KX16, 25ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40

M12L64322A-7TIG2U	ESMT	获取价格		动态存储器	DRAM,

M11B416256A-25JP	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	EDO DRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-40

M11B16161A-60T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-50/44

M12L32321A-6BG2G	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 1MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FR

F25L004A-75P	ESMT	获取价格			Flash Memory,

EN25B16-100QIP	ESMT	获取价格			Flash Memory,

M11L416256SA-28J	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 256KX16, 28ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40

M13S2561616A-4TG2K	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2

M52S128168A-7.5TIG	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54

M12L2561616A-7TIG2S	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COM

M11L416256A-28T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 256KX16, 28ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40

M13S64164A-6BVG2Y	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

FM6BD4G2GXA-1.8BL	ESMT	获取价格			Memory Circuit, 64MX32, CMOS, PBGA162, BGA-162

F25L04PA-50PAG2D	ESMT	获取价格		光电二极管	Flash, 4MX1, PDSO8, 0.208 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-8

M13S128168A-4TVG2N	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE

M13S64164A-6BVAG2Y	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

M13S2561616A-5BG2A	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, B

M11L1644SA-60J	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24

M12L128168A-7BVG2N	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F

M13S2561616A-5BG2K	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE

F25L04PA-86PAG2D	ESMT	获取价格		光电二极管	Flash, 4MX1, PDSO8, 0.208 INCH, 1.27 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-8

M13S2561616A-6BG2K	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE

EN29LV160AT-70UI	ESMT	获取价格		光电二极管内存集成电路闪存	Flash, 1MX16, 70ns, PDSO44, SOP-44

M11L416256SA-25J	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 256KX16, 25ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40

M13S128168A-5BVG2N	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE