Datasheet > PMDPB58UPE

PMDPB58UPE

更新时间： 2024-09-16 11:14:11

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	702K
描述
20 V dual P-channel Trench MOSFETProduction

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PMDPB58UPE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
其他特性：	LOW THRESHOLD	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.6 A	最大漏极电流 (ID)：	3.6 A
最大漏源导通电阻：	20 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
功耗环境最大值：	1.21 W	最大功率耗散 (Abs)：	8.33 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14.4 A	参考标准：	IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PMDPB58UPE 数据手册

PMDPB58UPE

20 V dual P-channel Trench MOSFET

3 February 2016

Product data sheet

1. General description

Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

Low threshold voltage

Very fast switching

Trench MOSFET technology

2 kV ElectroStatic Discharge (ESD) protection

•

3. Applications

Relay driver

•

High-speed line driver

High-side load switch

Switching circuits

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-20

-8

V_GS= -4.5 V; T_amb= 25 °C; t ≤ 5 s

V_GS= -4.5 V; I_D= -2 A; T_j= 25 °C

[1]

-4.5

Static characteristics (per transistor)

R_DSon

drain-source on-state

resistance

mΩ

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for

drain 6 cm².

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与PMDPB58UPE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PMDPB58UPE,115	NXP	获取价格	20 V dual P-channel Trench MOSFET DFN 6-Pin
PMDPB65UP	NXP	获取价格	TRANSISTOR 3.5 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 2 X 2 MM, 0.65 MM
PMDPB65UP,115	NXP	获取价格	PMDPB65UP - 20 V, 3.5 A dual P-channel Trench MOSFET DFN 6-Pin
PMDPB70XP	NXP	获取价格	30 V, dual P-channel Trench MOSFET
PMDPB70XP	NEXPERIA	获取价格	30 V, dual P-channel Trench MOSFETProduction
PMDPB70XPE	NXP	获取价格	20 V dual P-channel Trench MOSFET
PMDPB70XPE	NEXPERIA	获取价格	20 V dual P-channel Trench MOSFETProduction
PMDPB70XPE_15	NXP	获取价格	20 V dual P-channel Trench MOSFET
PMDPB80XP	NEXPERIA	获取价格	20 V, dual P-channel Trench MOSFETProduction
PMDPB85UPE	NXP	获取价格	20 V dual P-channel Trench MOSFET