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PMDPB65UP

更新时间： 2024-09-15 19:38:11

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	193K
描述
TRANSISTOR 3.5 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 2 X 2 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA THIN, PLASTIC, HUSON-6, FET General Purpose Small Signal

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PMDPB65UP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
外壳连接：	DRAIN	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	0.0035 A
最大漏源导通电阻：	0.09 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PMDPB65UP 数据手册

PMDPB65UP

20 V, 3.5 A dual P-channel Trench MOSFET

Rev. 2 — 8 March 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small

and leadless ultra thin SOT1118 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using

Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

 Trench MOSFET technology

 Small and leadless ultra thin SMD

plastic package: 2 × 2 × 0.65 mm

 1.8 V R_DSonrated for low voltage gate

drive

 Exposed drain pad for excellent

thermal conduction

 1 kV ElectroStatic Discharge (ESD)

protection

1.3 Applications

 Charging switch for portable devices

 DC-to-DC converters

 Power management in battery-driven

portables

 Hard disk and computing power

 Small brushless DC motor drive

management

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter Conditions

Min Typ Max Unit

Per transistor

V_DS

V_GS

I_D

drain-source

voltage

T_amb= 25 °C

-20

gate-source

voltage

-8

[1]

drain current

V_GS= -4.5 V; T_amb= 25 °C

-3.5

Static characteristics (per transistor)

R_DSon

drain-source

on-state

resistance

V_GS= -4.5 V; I_D= -1 A;

t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.01 ;

T_j= 25 °C

mΩ

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for

drain 6 cm².

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PMDPB65UP,115	NXP	获取价格	PMDPB65UP - 20 V, 3.5 A dual P-channel Trench MOSFET DFN 6-Pin
PMDPB70XP	NXP	获取价格	30 V, dual P-channel Trench MOSFET
PMDPB70XP	NEXPERIA	获取价格	30 V, dual P-channel Trench MOSFETProduction
PMDPB70XPE	NXP	获取价格	20 V dual P-channel Trench MOSFET
PMDPB70XPE	NEXPERIA	获取价格	20 V dual P-channel Trench MOSFETProduction
PMDPB70XPE_15	NXP	获取价格	20 V dual P-channel Trench MOSFET
PMDPB80XP	NEXPERIA	获取价格	20 V, dual P-channel Trench MOSFETProduction
PMDPB85UPE	NXP	获取价格	20 V dual P-channel Trench MOSFET
PMDPB85UPE	NEXPERIA	获取价格	20 V dual P-channel Trench MOSFETProduction
PMDPB95XNE2	NEXPERIA	获取价格	30 V, dual N-channel Trench MOSFETProduction

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