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PMDPB58UPE

更新时间： 2024-09-15 12:04:31

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恩智浦 - NXP		/
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15页	880K
描述
20 V dual P-channel Trench MOSFET

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PMDPB58UPE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC, DFN2020-6, 6 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
外壳连接：	DRAIN	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	3.6 A
最大漏源导通电阻：	0.067 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14.4 A
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PMDPB58UPE 数据手册

PMDPB58UPE

DFN2020-6

20 V dual P-channel Trench MOSFET

Rev. 1 — 19 June 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic

package using Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

 Low threshold voltage

 Very fast switching

 Trench MOSFET technology

 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD)

protection

1.3 Applications

 Relay driver

 High-side load switch

 Switching circuits

 High-speed line driver

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-20

-8

[1]

V_GS= -4.5 V; T_amb= 25 °C; t ≤ 5 s

V_GS= -4.5 V; I_D= -2 A; T_j= 25 °C

-4.5

Static characteristics (per transistor)

R_DSon

drain-source on-state

resistance

mΩ

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 6 cm².

12 3 4 5 6 7...15

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