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PMBTA06

更新时间: 2024-11-17 22:44:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 56K
描述
NPN general purpose transistor

PMBTA06 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.12
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.25 VBase Number Matches:1

PMBTA06 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PMBTA06  
NPN general purpose transistor  
1999 Apr 29  
Product specification  
Supersedes data of 1998 Jul 20  

PMBTA06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PMBTA06,215 NXP

完全替代

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TRANSISTOR 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI
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