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PMBTA14TRL13

更新时间: 2024-11-19 05:21:07
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恩智浦 - NXP 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 68K
描述
TRANSISTOR 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

PMBTA14TRL13 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.21最大集电极电流 (IC):0.3 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):20000JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):125 MHz
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

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