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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.21 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20000 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBTA14TRL | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| PMBTA14TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| PMBTA20 | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBTA20-T | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-23, 3 PIN, BIP General Purp |
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| PMBTA20TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| PMBTA20TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| PMBTA42 | NXP |
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NPN high-voltage transistor |
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| PMBTA42 | NEXPERIA |
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300 V, 100 mA NPN high-voltage transistorProduction |
|
| PMBTA42,185 | NXP |
获取价格 |
PMBTA42 - 300 V, 100 mA NPN high-voltage transistor TO-236 3-Pin |
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| PMBTA42,215 | NXP |
获取价格 |
PMBTA42 - 300 V, 100 mA NPN high-voltage transistor TO-236 3-Pin |
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