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| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.7 |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 最大非重复峰值正向电流： | 4 A |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 0.215 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 75 V |
| 最大反向电流： | 0.1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.004 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBD2838-T | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.215 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| PMBD2838TRL | YAGEO |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon |
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| PMBD352 | YAGEO |
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Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.01A, Silicon |
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| PMBD352-T | NXP |
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DIODE 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| PMBD352T/R | NXP |
获取价格 |
PMBD352T/R |
|
| PMBD352TRL | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.01A, Silicon |
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| PMBD352TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.01A, Silicon |
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| PMBD353 | NXP |
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Schottky barrier double diode |
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| PMBD353 | NEXPERIA |
获取价格 |
Schottky barrier double diodeProduction |
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| PMBD353,215 | NXP |
获取价格 |
PMBD353 - Schottky barrier double diode TO-236 3-Pin |
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