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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.6 V | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最大输出电流： | 0.03 A | 最大重复峰值反向电压： | 4 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBD352-T | NXP |
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DIODE 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| PMBD352T/R | NXP |
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PMBD352T/R |
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| PMBD352TRL | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.01A, Silicon |
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| PMBD352TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.01A, Silicon |
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| PMBD353 | NXP |
获取价格 |
Schottky barrier double diode |
|
| PMBD353 | NEXPERIA |
获取价格 |
Schottky barrier double diodeProduction |
|
| PMBD353,215 | NXP |
获取价格 |
PMBD353 - Schottky barrier double diode TO-236 3-Pin |
|
| PMBD353/T3 | NXP |
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DIODE SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, 3 PIN, Microwave Mixer Diode |
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| PMBD353-T | NXP |
获取价格 |
SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, 3 PIN |
|
| PMBD353T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.03A, 4V V(RRM), |
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