5秒后页面跳转
PMBD352T/R PDF预览

PMBD352T/R

更新时间: 2024-02-01 12:39:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 208K
描述
PMBD352T/R

PMBD352T/R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.6 VJESD-609代码:e0
元件数量:1最高工作温度:100 °C
最大输出电流:0.03 A最大重复峰值反向电压:4 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

PMBD352T/R 数据手册

 浏览型号PMBD352T/R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PMBD352T/R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PMBD352T/R的Datasheet PDF文件第4页 

与PMBD352T/R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PMBD352TRL YAGEO

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.01A, Silicon
PMBD352TRL13 YAGEO

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.01A, Silicon
PMBD353 NXP

获取价格

Schottky barrier double diode
PMBD353 NEXPERIA

获取价格

Schottky barrier double diodeProduction
PMBD353,215 NXP

获取价格

PMBD353 - Schottky barrier double diode TO-236 3-Pin
PMBD353/T3 NXP

获取价格

DIODE SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, 3 PIN, Microwave Mixer Diode
PMBD353-T NXP

获取价格

SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, 3 PIN
PMBD353T/R PHILIPS

获取价格

Rectifier Diode, 1 Element, 0.03A, 4V V(RRM),
PMBD354 NXP

获取价格

Schottky barrier double diode
PMBD354 NEXPERIA

获取价格

Schottky barrier double diodeProduction