5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.6 V | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 100 °C | 最大输出电流： | 0.03 A |
| 最大重复峰值反向电压： | 4 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBD352TRL | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.01A, Silicon |
|
| PMBD352TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.01A, Silicon |
|
| PMBD353 | NXP |
获取价格 |
Schottky barrier double diode |
|
| PMBD353 | NEXPERIA |
获取价格 |
Schottky barrier double diodeProduction |
|
| PMBD353,215 | NXP |
获取价格 |
PMBD353 - Schottky barrier double diode TO-236 3-Pin |
|
| PMBD353/T3 | NXP |
获取价格 |
DIODE SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, 3 PIN, Microwave Mixer Diode |
|
| PMBD353-T | NXP |
获取价格 |
SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, 3 PIN |
|
| PMBD353T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.03A, 4V V(RRM), |
|
| PMBD354 | NXP |
获取价格 |
Schottky barrier double diode |
|
| PMBD354 | NEXPERIA |
获取价格 |
Schottky barrier double diodeProduction |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
