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PMBD353

更新时间: 2024-11-14 22:44:23
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恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 51K
描述
Schottky barrier double diode

PMBD353 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:PLASTIC, SMD, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.1
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS最大二极管电容:1 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
最大正向电压 (VF):0.6 V频带:ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:100 °C最大输出电流:0.03 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:4 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

PMBD353 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ook, halfpage  
PMBD353  
Schottky barrier double diode  
1999 May 25  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Mar 20  

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