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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.76 |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 0.15 A | 最大重复峰值反向电压： | 75 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.006 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBD2838212 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.215 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| PMBD2838215 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.215 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| PMBD2838235 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.215 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| PMBD2838-T | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.215 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| PMBD2838TRL | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, Silicon |
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| PMBD352 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.01A, Silicon |
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| PMBD352-T | NXP |
获取价格 |
DIODE 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| PMBD352T/R | NXP |
获取价格 |
PMBD352T/R |
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| PMBD352TRL | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.01A, Silicon |
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| PMBD352TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.01A, Silicon |
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