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PMBD2837-T

更新时间: 2024-02-04 22:09:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 110K
描述
DIODE 0.215 A, 35 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

PMBD2837-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.72
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.215 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:35 V最大反向电流:0.1 µA
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

PMBD2837-T 数据手册

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