1N4448T/R

更新时间： 2024-09-17 13:03:31

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		二极管
页数	文件大小	规格书
9页	102K
描述
0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, ALF2, SC-40, 2 PIN

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1N4448T/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-35	包装说明：	ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, ALF2, SC-40, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	2 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	CECC50001-021	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向电流：	0.025 µA	最大反向恢复时间：	0.004 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

M3D176

1N4148; 1N4448

High-speed diodes

Product data sheet

2004 Aug 10

Supersedes data of 2002 Jan 23

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N4448T-10A	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4448T-11	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4448T11A	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35,
1N4448T-11A	ROHM	获取价格	0.15A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N4448T-11Y	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon,
1N4448T-12	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4448T-12A	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4448T-15A	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4448T-16A	ROHM	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4448T26R	TI	获取价格	100V, SILICON, SIGNAL DIODE