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1N4448T11A

更新时间: 2024-10-30 14:37:07
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罗姆 - ROHM 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 144K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35,

1N4448T11A 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.31
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最大输出电流:0.15 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

1N4448T11A 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4448T-11A ROHM

获取价格

0.15A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N4448T-11Y ROHM

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon,
1N4448T-12 ROHM

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4448T-12A ROHM

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4448T-15A ROHM

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4448T-16A ROHM

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35,
1N4448T26R TI

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100V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4448T26R FAIRCHILD

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35
1N4448T50A FAIRCHILD

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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35
1N4448T50A TI

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100V, SILICON, SIGNAL DIODE