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PESD5V0S2UQ

更新时间: 2024-11-13 22:16:51
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恩智浦 - NXP 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
13页 120K
描述
Double ESD protection diodes in SOT663 package

PESD5V0S2UQ 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.52Is Samacsys:N
最大击穿电压:7.2 V最小击穿电压:6.4 V
击穿电压标称值:6.8 V配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:150 W
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.425 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:5 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

PESD5V0S2UQ 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PESDxS2UQ series  
Double ESD protection diodes in  
SOT663 package  
Product specification  
2004 Apr 27  
Supersedes data of 2003 Dec 15  

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