PESD5V0U1BL

更新时间： 2024-09-29 10:14:15

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描述
Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes

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PESD5V0U1BL 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否无铅：	不含铅
是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.39
最大击穿电压：	9.5 V	最小击穿电压：	5.5 V
击穿电压标称值：	7 V	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-N2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	BIDIRECTIONAL	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	5 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

PESD5V0U1BL 数据手册

PESD5V0U1BA;

PESD5V0U1BB; PESD5V0U1BL

Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes

Rev. 01 — 25 April 2007

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Ultra low capacitance bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diodes in

small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages designed to protect one data line

from the damage caused by ESD.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

Package

conﬁguration

JEITA

SC-76

SC-79

PESD5V0U1BA

PESD5V0U1BB

PESD5V0U1BL

SOD323

SOD523

SOD882

very small

ﬂat lead ultra small

leadless ultra small

1.2 Features

I Bidirectional ESD protection of one line I Ultra low leakage current: I_RM= 5 nA

I Ultra low diode capacitance: C_d= 2.9 pF I ESD protection of up to 10 kV

I IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)

1.3 Applications

I Computers and peripherals

I Communication systems

I Portable electronics

I Subscriber Identity Module (SIM) card

protection

I Audio and video equipment

I Cellular handsets and accessories

I 10/100/1000 Ethernet

I FireWire

I Local Area Network (LAN) equipment

I High-speed data lines

1.4 Quick reference data

Table 2.

Quick reference data

T_amb= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

Symbol

Per diode

V_RWM

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

reverse standoff voltage

diode capacitance

C_d

f = 1 MHz; V_R= 0 V

2.9

3.5

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PESD5V0U1BL,315	NXP	功能相似	PESD5V0U1BA; PESD5V0U1BB; PESD5V0U1BL - Ultra low capacitance bidirectional ESD protection

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PESD5V0U1BLD	NEXPERIA	获取价格	Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction
PESD5V0U1BLD,315	NXP	获取价格	PESD5V0U1BLD - Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode DFN 2-Pin
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