是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.66 | 其他特性: | LOW LEAKAGE CURRENT |
最大击穿电压: | 7.2 V | 最小击穿电压: | 6.4 V |
配置: | COMMON ANODE, 5 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 200 W | 元件数量: | 5 |
端子数量: | 6 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大重复峰值反向电压: | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PESD5V0S5UD-Q | NEXPERIA |
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Fivefold ESD protection diode arrayProduction | |
PESD5V0U1BA | NXP |
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Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes | |
PESD5V0U1BA | NEXPERIA |
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Low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction | |
PESD5V0U1BA,115 | NXP |
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PESD5V0U1BA; PESD5V0U1BB; PESD5V0U1BL - Ultra low capacitance bidirectional ESD protection | |
PESD5V0U1BA-Q | NEXPERIA |
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Low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction | |
PESD5V0U1BB | NXP |
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Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes | |
PESD5V0U1BB | NEXPERIA |
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Low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction | |
PESD5V0U1BB,115 | NXP |
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PESD5V0U1BA; PESD5V0U1BB; PESD5V0U1BL - Ultra low capacitance bidirectional ESD protection | |
PESD5V0U1BB-Q | NEXPERIA |
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Low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction | |
PESD5V0U1BL | NEXPERIA |
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Low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction |