是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-N2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.63 | 最大击穿电压: | 9.5 V |
最小击穿电压: | 5.5 V | 击穿电压标称值: | 7 V |
配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-N2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性: | BIDIRECTIONAL | 参考标准: | AEC-Q101; IEC-60134 |
最大重复峰值反向电压: | 5 V | 最大反向电流: | 0.1 µA |
反向测试电压: | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PESD5V0U1BL,315 | NXP |
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PESD5V0U1BA; PESD5V0U1BB; PESD5V0U1BL - Ultra low capacitance bidirectional ESD protection | |
PESD5V0U1BLD | NXP |
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Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode | |
PESD5V0U1BLD | NEXPERIA |
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Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction | |
PESD5V0U1BLD,315 | NXP |
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PESD5V0U1BLD - Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode DFN 2-Pin | |
PESD5V0U1BLD-Q | NEXPERIA |
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Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction | |
PESD5V0U1BL-Q | NEXPERIA |
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Low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction | |
PESD5V0U1UA | NXP |
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Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes | |
PESD5V0U1UA | NEXPERIA |
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Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodeProduction | |
PESD5V0U1UA,115 | NXP |
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PESD5V0U1UA; PESD5V0U1UB; PESD5V0U1UL - Ultra low capacitance unidirectional ESD protectio | |
PESD5V0U1UA-Q | NEXPERIA |
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Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodeProduction |