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PESD5V0S2BT,215

更新时间： 2024-11-14 19:55:19

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	75K
描述
PESD5V0S2BT - Low capacitance bidirectional double ESD protection diode TO-236 3-Pin

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PESD5V0S2BT,215 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-236	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	3.56	其他特性：	LOW CAPACITANCE
最大击穿电压：	9.5 V	最小击穿电压：	5.5 V
击穿电压标称值：	7.5 V	最大钳位电压：	14 V
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	130 W
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	BIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	5 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

PESD5V0S2BT,215 数据手册

PESD5V0S2BT

Low capacitance bidirectional double ESD protection diode

Rev. 03 — 9 February 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Low capacitance bidirectional double ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode in a

small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to

protect two data lines from the damage caused by ESD and other transients.

1.2 Features

I Bidirectional ESD protection of two lines

I Low diode capacitance

I Max. peak pulse power: P_PP= 130 W at t_p= 8/20 µs

I Low clamping voltage: V_CL= 14 V at I_PP= 12 A

I Ultra low leakage current: I_RM= 5 nA at V_RWM= 5 V

I ESD protection up to 30 kV

I IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)

I IEC 61000-4-5 (surge); I_PP= 12 A at t_p= 8/20 µs

1.3 Applications

I Cellular handsets and accessories

I Portable electronics

I Computers and peripherals

I Communication systems

I Audio and video equipment

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

T_amb= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

Symbol

V_RWM

C_d

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

reverse standoff voltage

diode capacitance

f = 1 MHz;

V_R= 0 V

12 3 4 5 6 7...12

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PESD5V0S2BT,215 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PESD5V0S2BT	NEXPERIA	功能相似	Low capacitance bidirectional double ESD protection diodeProduction
CDSOT23-SM712	BOURNS	功能相似	RS-485 Port Protection
SM712.TCT	SEMTECH	功能相似	Asymmetrical TVS Diode for Extended Common-Mode RS-485

与PESD5V0S2BT,215相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PESD5V0S2BT-Q	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance bidirectional double ESD protection diodeProduction
PESD5V0S2BTT/R	NXP	获取价格	TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,DUAL,BIDIRECTIONAL,CENTER-TAPPED,5V V(RWM),SOT-23
PESD5V0S2UAT	NXP	获取价格	Double ESD protection diodes in SOT23 package
PESD5V0S2UAT	NEXPERIA	获取价格	Double ESD protection diode in SOT23 packageProduction
PESD5V0S2UAT,215	NXP	获取价格	PESDxS2UAT series - Double ESD protection diode in SOT23 package TO-236 3-Pin
PESD5V0S2UAT-Q	NEXPERIA	获取价格	Double ESD protection diode in SOT23 packageProduction
PESD5V0S2UQ	NXP	获取价格	Double ESD protection diodes in SOT663 package
PESD5V0S2UQ	NEXPERIA	获取价格	Double ESD protection diodes in SOT663 packageProduction
PESD5V0S2UQ,115	NXP	获取价格	PESDxS2UQ series - Double ESD protection diodes in SOT663 package SOT 3-Pin
PESD5V0S2UQT/R	NXP	获取价格	TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,DUAL,UNIDIRECTIONAL,CENTER-TAPPED,5V V(RWM),SOT-663

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