PESD5V0L2UM

更新时间： 2024-09-19 22:16:51

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		瞬态抑制器二极管局域网
页数	文件大小	规格书
9页	77K
描述
Low capacitance double ESD protection diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PESD5V0L2UM 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DFN
包装说明：	1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.38
最大击穿电压：	7.14 V	最小击穿电压：	6.46 V
击穿电压标称值：	6.8 V	外壳连接：	ANODE
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PBCC-N3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	30 W	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	5 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

M3D883

BOTTOM VIEW

PESDxL2UM series

Low capacitance double ESD

protection diode

Product speciﬁcation

2003 Aug 05

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PESD5V0L2UMB	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance unidirectional double ESD protection arrayProduction
PESD5V0L2UMB	NXP	获取价格	TVS DIODE
PESD5V0L2UMB-Q	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance unidirectional double ESD protection arrayProduction
PESD5V0L2UU	NXP	获取价格	Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
PESD5V0L2UU	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance unidirectional ESD protection diodesProduction
PESD5V0L2UU,115	NXP	获取价格	PESD5V0L2UU; PESD6V0L2UU - Low capacitance unidirectional ESD protection diodes SC-70 3-Pi
PESD5V0L2UU,135	NXP	获取价格	70W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
PESD5V0L2UU-Q	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance unidirectional ESD protection diodeProduction
PESD5V0L4UF	NXP	获取价格	Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
PESD5V0L4UF	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arraysProduction