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PESD5V0L2UMB

更新时间： 2024-11-08 21:21:11
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恩智浦 - NXP 局域网二极管电视
页数 文件大小 规格书
13页 569K
描述
TVS DIODE

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PESD5V0L2UMB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：R-PBCC-N3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.75其他特性：IEC-61643-321
最大击穿电压：7.14 V最小击穿电压：6.46 V
外壳连接：ANODE配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PBCC-N3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
参考标准：AEC-Q101; IEC-60134; IEC-61000-4-2, 4-5最大重复峰值反向电压：5 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：TIN端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

PESD5V0L2UMB 数据手册

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PESD5V0L2UMB  
SOT883B  
Low capacitance unidirectional double ESD protection array  
Rev. 1 — 21 February 2012  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Low capacitance unidirectional double ElectroStatic Discharge (ESD) protection array  
designed to protect up to two signal lines from the damage caused by ESD and other  
transients. The device is housed in a leadless ultra small SOT883B Surface-Mounted  
Device (SMD) plastic package.  
1.2 Features and benefits  
ESD protection of up to two lines  
Low diode capacitance Cd = 16 pF  
Low clamping voltage VCL = 10 V  
Ultra low leakage current IRM = 5 nA  
ESD protection up to 15 kV  
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)  
IEC 61000-4-5 (surge); IPPM = 2.5 A  
AEC-Q101 qualified  
1.3 Applications  
Computers and peripherals  
Audio and video equipment  
Cellular handsets and accessories  
Portable electronics  
SIM card protection  
Communication systems  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Symbol Parameter  
Per diode  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VRWM  
Cd  
reverse standoff voltage  
diode capacitance  
-
-
-
5
V
f = 1 MHz; VR = 0 V  
16  
19  
pF  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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