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PESD5V0L5UV

更新时间: 2024-11-09 22:16:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
11页 85K
描述
Low capacitance 5-fold ESD protection diode arrays in SOT666 package

PESD5V0L5UV 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:ULTRA SMALL, PLASTIC, 6 PIN
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.51最大击穿电压:7.2 V
最小击穿电压:6.4 V击穿电压标称值:6.8 V
配置:COMMON ANODE, 5 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:25 W元件数量:5
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:5 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

PESD5V0L5UV 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PESD3V3L5UV; PESD5V0L5UV  
Low capacitance 5-fold ESD  
protection diode arrays in SOT666  
package  
Product specification  
2004 Mar 23  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ESDA6V1-5P6 STMICROELECTRONICS

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