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PESD5V0S1BA

更新时间： 2024-05-23 22:22:04
品牌 Logo 应用领域
友台半导体 - UMW 脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 239K
描述
反向截止电压（Vrwm）:5V;极性/通道数（Channel）:1-Line，Bidirectional;击穿电压（VBR):5.5V;峰值脉冲电流(Ipp):1A;最大钳位电压(Vc):10V;电容（Cj）:35pF

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PESD5V0S1BA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-76
包装说明：ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-76, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：3.51
其他特性：LOW CAPACITANCE最大击穿电压：9.5 V
最小击穿电压：5.5 V击穿电压标称值：7.5 V
最大钳位电压：14 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：130 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：BIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：5 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30

PESD5V0S1BA 数据手册

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R
UMW  
PESD5V0S1BA/BB/BL  
Description  
Low capacitance ElectroStatic Discharge  
(ESD) protection diodes in ultra small  
SMD plastic packages designed to  
protect one signal line from the damage  
caused by ESD and other transients.  
SOD-882  
SOD-323/523  
Applications  
Features  
I Cellular handsets and accessories  
I Portable electronics  
I Bidirectional ESD protection of one line  
I Max. peak pulse power: PPP = 130 W  
I Low clamping voltage: V(CL)R = 14 V  
I Ultra low leakage current: IRM = 5 nA  
I ESD protection > 30 kV  
I Computers and peripherals  
I Communication systems  
I Audio and video equipment  
I IEC 61000-4-2, level 4 (ESD)  
I IEC 61000-4-5 (surge); IPP = 12 A  
I Ultra small SMD plastic packages  
Quick reference data  
Quick reference data  
Symbol  
VRWM  
Cd  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
-
Max  
5
Unit  
V
reverse stand-off voltage  
diode capacitance  
-
-
VR = 0 V;  
f = 1 MHz  
35  
45  
pF  
www.umw-ic.com  
1
友台半导体有限公司  
12345

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与PESD5V0S1BA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PESD5V0S1BA,115 NXP

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 		PESD5V0S1BA; PESD5V0S1BB; PESD5V0S1BL - Low capacitance bidirectional ESD protection diode
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