5秒后页面跳转
PESD5V0L6US PDF预览

PESD5V0L6US

更新时间: 2024-11-20 21:54:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
14页 96K
描述
Low capacitance 6-fold ESD protection diode arrays

PESD5V0L6US 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOIC
包装说明:PLASTIC, SOP-8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.44
最大击穿电压:7.2 V最小击穿电压:6.4 V
击穿电压标称值:6.8 V配置:COMMON ANODE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:MS-012AAJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:35 W元件数量:6
端子数量:8最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:5 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:NICKEL PALLADIUM GOLD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

PESD5V0L6US 数据手册

 浏览型号PESD5V0L6US的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PESD5V0L6US的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PESD5V0L6US的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PESD5V0L6US的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PESD5V0L6US的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PESD5V0L6US的Datasheet PDF文件第7页 
PESD5V0L6UAS;  
PESD5V0L6US  
Low capacitance 6-fold ESD protection diode arrays  
Rev. 02 — 9 November 2004  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Low capacitance 6-fold ESD protection diode arrays in small plastic packages designed to  
protect up to six transmission or data lines from the damage caused by ElectroStatic  
Discharge (ESD) and other transients.  
Table 1:  
Product overview  
Type number  
Package  
Name  
Philips  
PESD5V0L6UAS  
PESD5V0L6US  
TSSOP8  
SO8  
SOT505-1  
SOT96-1  
1.2 Features  
ESD protection of up to six lines  
Low diode capacitance  
Max. peak pulse power: PPP = 35 W  
Low clamping voltage: V(CL)R = 15 V  
Ultra low leakage current: IRM = 8 nA  
ESD protection of up to 20 kV  
IEC 61000-4-2, level 4 (ESD)  
IEC 61000-4-5 (surge); IPP = 2.5 A.  
1.3 Applications  
Computers and peripherals  
Communication systems  
Audio and video equipment  
High speed data lines  
Parallel ports.  
1.4 Quick reference data  
Table 2:  
Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
-
Max  
5
Unit  
V
VRWM  
Cd  
reverse stand-off voltage  
diode capacitance  
-
-
VR = 0 V;  
f = 1 MHz  
16  
19  
pF  

PESD5V0L6US 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PESD5V0L6US,118 NXP

功能相似

PESD5V0L6UAS; PESD5V0L6US - Low capacitance 6-fold ESD protection diode arrays SOIC 8-Pin
SMDA05.TBT SEMTECH

功能相似

Unidirectional TVS Array for Protection of Four Lines
SMDA05 SEMTECH

功能相似

Unidirectional TVS Array for Protection of Four Lines

与PESD5V0L6US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PESD5V0L6US,118 NXP

获取价格

PESD5V0L6UAS; PESD5V0L6US - Low capacitance 6-fold ESD protection diode arrays SOIC 8-Pin
PESD5V0L7BAS NXP

获取价格

Low capacitance 7-fold bidirectional ESD protection diode arrays
PESD5V0L7BAS,118 NXP

获取价格

PESD5V0L7BAS; PESD5V0L7BS - Low capacitance 7-fold bidirectional ESD protection diode arra
PESD5V0L7BS NXP

获取价格

Low capacitance 7-fold bidirectional ESD protection diode arrays
PESD5V0L7BS,118 NXP

获取价格

PESD5V0L7BAS; PESD5V0L7BS - Low capacitance 7-fold bidirectional ESD protection diode arra
PESD5V0R1BBSF NEXPERIA

获取价格

PESD5V0R1BCSF NEXPERIA

获取价格

PESD5V0R1BDSF NEXPERIA

获取价格

PESD5V0R1BSF NEXPERIA

获取价格

Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction
PESD5V0S1B NXP

获取价格

Low capacitance bidirectional ESD protection diodes