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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PBCC-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.61 | 最大击穿电压： | 7.14 V |
| 最小击穿电压： | 6.46 V | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | R-PBCC-N3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 30 W | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PESD5V0L2UMB | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection arrayProduction |
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| PESD5V0L2UMB | NXP |
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TVS DIODE |
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| PESD5V0L2UMB-Q | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection arrayProduction |
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| PESD5V0L2UU | NXP |
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Low capacitance unidirectional ESD protection diodes |
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| PESD5V0L2UU | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional ESD protection diodesProduction |
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| PESD5V0L2UU,115 | NXP |
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PESD5V0L2UU; PESD6V0L2UU - Low capacitance unidirectional ESD protection diodes SC-70 3-Pi |
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| PESD5V0L2UU,135 | NXP |
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70W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
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| PESD5V0L2UU-Q | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional ESD protection diodeProduction |
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| PESD5V0L4UF | NXP |
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Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays |
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| PESD5V0L4UF | NEXPERIA |
获取价格 |
Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arraysProduction |
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