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PESD3V3S4UF,115

更新时间： 2024-11-08 20:03:07

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恩智浦 - NXP		/
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13页	76K
描述
PESD3V3S4UF; PESD5V0S4UF - Unidirectional quadruple ESD protection diode arrays SON 6-Pin

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PESD3V3S4UF,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SON	包装说明：	1 X 1.45 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, SMD, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	7.67	最大击穿电压：	5.88 V
最小击穿电压：	5.32 V	击穿电压标称值：	5.6 V
最大钳位电压：	11 V	配置：	COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PBCC-N6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	110 W
元件数量：	4	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	3.3 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

PESD3V3S4UF,115 数据手册

PESD3V3S4UF; PESD5V0S4UF

Unidirectional quadruple ESD protection diode arrays

Rev. 01 — 17 January 2008

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Unidirectional quadruple ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode arrays in a small

SOT886 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to protect up to four

signal lines from the damage caused by ESD and other transients.

1.2 Features

I ESD protection of up to four lines

I ESD protection up to 30 kV

I IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)

I IEC 61000-4-5 (surge); I_PP= 10 A

I AEC-Q101 qualiﬁed

I Max. peak pulse power: P_PP= 110 W

I Low clamping voltage: V_CL= 11 V

I Ultra low leakage current: I_RM= 4 nA

1.3 Applications

I Computers and peripherals

I Audio and video equipment

I Cellular handsets and accessories

I Communication systems

I Portable electronics

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

T_amb= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

Symbol Parameter

Per diode

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RWM

reverse standoff voltage

PESD3V3S4UF

PESD5V0S4UF

diode capacitance

PESD3V3S4UF

PESD5V0S4UF

3.3

5.0

C_d

f = 1 MHz; V_R= 0 V

110

300

220

12 3 4 5 6 7...13

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PESD3V3S4UF,115 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PESD3V3S4UF	NEXPERIA	功能相似	Unidirectional quadruple ESD protection diode arraysProduction
PESD3V3S4UF	NXP	功能相似	Unidirectional quadruple ESD protection diode arrays

与PESD3V3S4UF,115相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PESD3V3S4UF,132	NXP	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 110W, 3.3V V(RWM), Unidirectional, 4 Element, Silicon
PESD3V3S5UD	NXP	获取价格	Fivefold ESD protection diode arrays
PESD3V3S5UD	PHILIPS	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 3.3V V(RWM), Unidirectional,
PESD3V3S5UD	NEXPERIA	获取价格	Fivefold ESD protection diode arraysProduction
PESD3V3S5UD,115	NXP	获取价格	PESDxS5UD series - Fivefold ESD protection diode arrays TSOP 6-Pin
PESD3V3S5UD,125	NXP	获取价格	PESDxS5UD series - Fivefold ESD protection diode arrays TSOP 6-Pin
PESD3V3S5UD-Q	NEXPERIA	获取价格	Fivefold ESD protection diode arrayProduction
PESD3V3T1BL	NEXPERIA	获取价格	Bidirectional ESD protection diodeProduction
PESD3V3T1BLD	NEXPERIA	获取价格	Bidirectional ESD protection diodeProduction
PESD3V3T1BLD-Q	NEXPERIA	获取价格	Bidirectional ESD protection diodeProduction

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