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PDTC114ES,126

更新时间: 2024-02-03 17:25:21
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 92K
描述
PDTC114ES

PDTC114ES,126 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.79
Is Samacsys:N其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PDTC114ES,126 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
NPN resistor-equipped transistors;  
R1 = 47 k, R2 = 47 kΩ  
PDTC144E series  
Plastic surface mounted package; 3 leads  
SOT346  
E
A
D
B
X
H
v
M
A
E
3
Q
A
A
1
c
1
2
L
p
e
1
b
p
w M  
B
e
detail X  
0
1
2 mm  
scale  
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)  
UNIT  
A
b
c
D
E
e
e
H
L
Q
v
w
A
p
1
p
1
E
1.3  
1.0  
0.1  
0.013  
0.50  
0.35  
0.26  
0.10  
3.1  
2.7  
1.7  
1.3  
3.0  
2.5  
0.6  
0.2  
0.33  
0.23  
mm  
1.9  
0.95  
0.2  
0.2  
REFERENCES  
EUROPEAN  
PROJECTION  
OUTLINE  
VERSION  
ISSUE DATE  
IEC  
JEDEC  
EIAJ  
98-07-17  
SOT346  
TO-236  
SC-59  
2004 Aug 17  
8

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PDTC114ESAMO NXP TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 P

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